IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (typical MOSFET range) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin