IR2110SPBF vs IR2101PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2110SPBF tarafından Infineon ve IR2101PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2110SPBF IR2101PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Half-bridge gate driver —
Ağ Yapısı High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Montaj Türü Surface Mount Through-Hole
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — Half-Bridge (High and Low Side)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Çıkış Sayısı — 2
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C
Packaging — Tube
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin