IRF3007STRLPBF vs IRFH5015TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF3007STRLPBF tarafından Infineon ve IRFH5015TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF3007STRLPBF IRFH5015TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical 33 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
FET Type — N-Channel
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Paket — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (TJ max)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin