IRF3007STRLPBF vs IRFH5015TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF3007STRLPBF מאת Infineon ו IRFH5015TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRF3007STRLPBF IRFH5015TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical 33 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
FET Type — N-Channel
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
מארז — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (TJ max)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר