IRF4905LPBF vs IRF4905STRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905LPBF tarafından Infineon ve IRF4905STRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905LPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | 200 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value] | — |
| Rise Time (tr) typ | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (tf) typ | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Paket | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin | D2PAK (TO-263) |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Planar) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PbF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |