IRF4905LPBF vs IRF4905STRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF4905LPBF מאת Infineon ו IRF4905STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF4905LPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | 200 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value] | — |
| Rise Time (tr) typ | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (tf) typ | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| מארז | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin | D2PAK (TO-263) |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Planar) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PbF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| רמת MSL | — | 1 |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |