IRF4905LPBF vs IRF4905STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905LPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905LPBF IRF4905STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
پیکیج TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin D2PAK (TO-263)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں