IRF4905SPBF vs IRF4905PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905SPBF tarafından Infineon ve IRF4905PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905SPBF | IRF4905PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| Paket | D2PAK (TO-263) surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET, planar cell | HEXFET (IR MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | 120 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -74 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 200 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mΩ |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Pin Configuration | — | Gate - Drain - Source (left to right) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (not moisture-sensitive for TO-220) |