IRF4905SPBF vs IRF4905PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905SPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905SPBF IRF4905PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
پیکیج D2PAK (TO-263) surface mount TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (IR MOSFET)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
MSL لیول — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں