IRF4905STRRPBF vs IPD50P04P413ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRRPBF tarafından Infineon ve IPD50P04P413ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905STRRPBF IPD50P04P413ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket D2PAK (TO-263-3) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) OptiMOS-P2 (Trench)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
MSL Seviyesi — 1
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin