IRF540NSTRLPBF vs IRF540 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF540NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF540 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF540NSTRLPBF | IRF540 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | STMicroelectronics |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | Avalanche-rugged power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220 (through hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | unknown |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| FET Type | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 22 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 85 W (Tc) |
| RDS(on) Typical | — | 0.050 Ohm |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | — | 77 mOhm (family typ.) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C |
| Configuration | — | Single |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V for full enhancement |