IRF7342TRPBF vs IRFR9024NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7342TRPBF tarafından Infineon ve IRFR9024NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7342TRPBF IRFR9024NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,17
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel HEXFET (Gen 5)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (Tj) —
Paket 8-SOIC (SO-8), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Polarity — P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Pin Sayısı — 3
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin