IRF7416TRPBF vs IRF7306TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7416TRPBF tarafından Infineon ve IRF7306TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7416TRPBF IRF7306TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin