IRF7416TRPBF vs IRF7306TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7416TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7416TRPBF IRF7306TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C —
پیکیج 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں