IRF7416TRPBF vs IRF7306TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7416TRPBF توسط Infineon و IRF7306TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7416TRPBF IRF7306TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC —
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت