IRF7495TRPBF vs IRF7469TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7495TRPBF tarafından Infineon ve IRF7469TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7495TRPBF | IRF7469TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | 7.3 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | 34 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) Max | 1530 pF at 25 V | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (TJ) | -55°C to +150°C (Tj) |
| Paket | 8-SOIC (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Estimated EOL Date | 2027 | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | — | 9 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 17 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |