IRF7495TRPBF vs IRF7469TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7495TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7469TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7495TRPBF IRF7469TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
پیکیج 8-SOIC (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں