IRF7854TRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7854TRPBF tarafından Infineon ve ISA150233C03LMDSXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7854TRPBF ISA150233C03LMDSXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,48 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Paket SO-8 PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 3 trench MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P)
N-channel Continuous Drain Current (Ta) — 7.6 A
N-channel Continuous Drain Current (Tc) — 10.2 A
P-channel Continuous Drain Current (Ta) — 6.6 A
P-channel Continuous Drain Current (Tc) — 8.8 A
Total Power Dissipation (Ta) — 1.4 W
Total Power Dissipation (Tc) — 2.5 W
Marking Code — 1523C03L
Channel Type — N-channel + P-channel enhancement mode
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin