IRF7854TRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7854TRPBF מאת Infineon ו ISA150233C03LMDSXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IRF7854TRPBF | ISA150233C03LMDSXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| מארז | SO-8 | PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) |
| N-channel Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.6 A |
| N-channel Continuous Drain Current (Tc) | — | 10.2 A |
| P-channel Continuous Drain Current (Ta) | — | 6.6 A |
| P-channel Continuous Drain Current (Tc) | — | 8.8 A |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 1.4 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 2.5 W |
| Marking Code | — | 1523C03L |
| Channel Type | — | N-channel + P-channel enhancement mode |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |