IRF8714TRPBF vs IRFR024NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF8714TRPBF tarafından Infineon ve IRFR024NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF8714TRPBF IRFR024NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] —
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Paket SO-8 (8-SOIC) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per Infineon package qualification) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin