IRF8714TRPBF vs IRFR024NTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF8714TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF8714TRPBF IRFR024NTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] —
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
پیکیج SO-8 (8-SOIC) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL لیول 1 (per Infineon package qualification) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں