IRF9Z34NPBF vs IRF7205PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9Z34NPBF tarafından Infineon ve IRF7205PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9Z34NPBF IRF7205PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Paket TO-220AB (through-hole, 3-pin) SO-8
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 70 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1 V to -3 V (typical)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
Generation — Fourth Generation HEXFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin