IRF9Z34NPBF vs IRFR5505TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9Z34NPBF tarafından Infineon ve IRFR5505TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9Z34NPBF IRFR5505TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
Paket TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin