IRFH5015TRPBF vs IRFH5300TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5015TRPBF tarafından Infineon ve IRFH5300TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFH5015TRPBF | IRFH5300TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (StrongIRFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | 50 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| Paket | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PQFN-8 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 336 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissition at TA=25C | — | 3.6 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 250 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (5V optimized) |
| JEDEC Qualification | — | Yes |