IRFH5015TRPBF vs IRFH5300TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5300TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFH5015TRPBF | IRFH5300TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (StrongIRFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | 50 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| پیکیج | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PQFN-8 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 336 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissition at TA=25C | — | 3.6 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 250 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (5V optimized) |
| JEDEC Qualification | — | Yes |