IRFP250MPBF vs IRFP250NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP250MPBF tarafından Infineon ve IRFP250NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFP250MPBF IRFP250NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $2,55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP250MPBF —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket / Kas TO-247AC (3-pin + tab) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 —
Avalanche Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 214 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Paket — TO-247AC (through-hole)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (TJ)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Switching Frequency Optimization — Optimized for applications below 100 kHz
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Planar Cell Structure — Yes (wide SOA)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin