IRFP250MPBF vs IRFP250NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP250MPBF بذریعہ Infineon اور IRFP250NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP250MPBF IRFP250NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP250MPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج / کیس TO-247AC (3-pin + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 —
Avalanche Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 214 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
پیکیج — TO-247AC (through-hole)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (TJ)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Switching Frequency Optimization — Optimized for applications below 100 kHz
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Planar Cell Structure — Yes (wide SOA)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں