IRFP250MPBF vs IRFP250NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP250MPBF מאת Infineon ו IRFP250NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP250MPBF IRFP250NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP250MPBF —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז / Case TO-247AC (3-pin + tab) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 —
Avalanche Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 214 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
מארז — TO-247AC (through-hole)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (TJ)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Switching Frequency Optimization — Optimized for applications below 100 kHz
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Planar Cell Structure — Yes (wide SOA)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר