IRFR220NPBF vs IRFR2405TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NPBF tarafından Infineon ve IRFR2405TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NPBF IRFR2405TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 70 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) plus tab 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Paket — TO-252AA (DPAK)
RoHS Durumu — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin