IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR3710ZTRPBF | IRLR3410TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 105 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | Logic-level (drive ~4.5V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to Drain |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |