IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
MSL لیول — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں