IRFR5305TRPBF vs IRFR2405TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRPBF tarafından Infineon ve IRFR2405TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5305TRPBF IRFR2405TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin