IRFR540ZTRLPBF vs IRFR540ZTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR540ZTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR540ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 28.5 mΩ max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical V] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC 39 nC
Power Dissipation (PD) at TC 91 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Technology IR MOSFET™ / HEXFET® IR MOSFET
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
MSL Seviyesi — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin