IRFR5410TRPBF vs IRFR1205TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRPBF tarafından Infineon ve IRFR1205TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR5410TRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/- 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (TJ) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 43.3 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| RoHS Durumu | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |