IRLML6246TRPBF vs IRLML0030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6246TRPBF tarafından Infineon ve IRLML0030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6246TRPBF IRLML0030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) IR HEXFET Power MOSFET
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Paket SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin