IRLR2705TRPBF vs IRLR3410TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR2705TRPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR2705TRPBF IRLR3410TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin