IRLR2705TRPBF vs IRLR3410TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2705TRPBF מאת Infineon ו IRLR3410TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLR2705TRPBF | IRLR3410TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| RDS(on) Max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-Level (compatible with 4V drive) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 22.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 68 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET generation 5) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, RoHS compliant) | Yes (PBF suffix) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 105 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | Logic-level (drive ~4.5V) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction) |
| Drain Tab Connection | — | Tab electrically tied to Drain |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |