IRLR7843TRPBF vs IRLR3636TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR7843TRPBF tarafından Infineon ve IRLR3636TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR7843TRPBF | IRLR3636TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C | — | [DATA_NEEDED: I_D at 100C] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 6.8 mOhm |
| Typical R_DS(on) at V_GS = 10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 33 nC |
| Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C | — | 143 W |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |