IRS2110SPBF vs 2ED2738S01GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS2110SPBF tarafından Infineon ve 2ED2738S01GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS2110SPBF 2ED2738S01GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
Çıkış Konfigürasyonu Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis TTL
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) Compliant
MSL Seviyesi 3 2 (1 year)
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
Çıkış Sayısı — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Propagation Delay (typ) — 120 ns
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin