IRS2110SPBF vs 2ED2738S01GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2110SPBF מאת Infineon ו 2ED2738S01GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2738S01GXTMA1 2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2110SPBF 2ED2738S01GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
תצורת מוצא Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis TTL
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
רמת MSL 3 2 (1 year)
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
מספר יציאות — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Propagation Delay (typ) — 120 ns
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר