ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC009N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | 128 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | -55C to +175C (junction, typical) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |