ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC009N03LF2SATMA1 bằng Infineon và ISZ028N03LF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 - 30V 341A 0.9mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
ISC009N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC009N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | 128 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V |
| Hộp | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | -55C to +175C (junction, typical) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |