ISC015N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC015N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | 109 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V max @ 30 uA |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | OptiMOS 5 |