ISC015N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC015N03LF2SATMA1 توسط Infineon و ISZ033N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC015N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | 109 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V max @ 30 uA |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | OptiMOS 5 |