ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC005N03LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5ATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Paket PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
RoHS Durumu Compliant Compliant (per LCSC listing)
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin