ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC015N06NM5ATMA1 توسط Infineon و BSC005N03LS5IATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | N-Channel |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |