ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından Infineon ve IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5LF2ATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 52 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TTFN-9-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (typical MOSFET range)
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin