ISC016N08NM8SCATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC016N08NM8SCATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC016N08NM8SCATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 8 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) 29 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) 269 A —
Power Dissipation at TC=25°C (PD) 263 W —
Paket PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 8 (shield-gate trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55°C to +175°C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Drain Tab Connection Top + bottom exposed (dual-side cooling) —
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin