ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC025N08NM5LF2ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 198 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 2.55 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max 3.9 V —
Total Gate Charge (Qg) Max 96 nC —
Power Dissipation @ TA 3 W —
Power Dissipation @ TC 217 W —
Paket PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +175C (junction, typical)
Polarity N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
MSL Seviyesi — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin