ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC037N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPTC054N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC037N12NM6ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (top-side cooled)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 (IPT family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 17.5 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 143 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 250 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A — 5.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) typical — 58 nC
Forward Body Diode Voltage (VSD) — 0.83 V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin